Filtry
Filtry
Tranzystory
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC143ZUAT106 |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane NPN 50V 100MA SOT-323
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DTA143XETL |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane PNP 50V 100MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
PDTD143ETR |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowane 500 mA, wyposażone w rezystor NPN 50 V
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
NSVMMUN2112LT1G |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
|
pół
|
|
|
|
|
|
DTA144EM3T5G |
|
pół
|
|
|
|
|
|
UMA10NTR |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane DUAL PNP 50V 100MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
EMH10T2R |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane PODWÓJNE NPN 50V 100MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMMUN2213LT1G |
Tranzystory bipolarne – wstępnie spolaryzowane SS BR XSTR SPCL TR
|
pół
|
|
|
|
|
|
PUMB15,115 |
Tranzystory bipolarne - wstępnie obciążone TRNS PODWÓJNA TAŚMA RET7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
SMUN5315DW1T1G |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane SS BR XSTR DUAL 50V
|
pół
|
|
|
|
|
|
FMA3AT148 |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane DUAL PNP 50V 100MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
PDTD143EUX |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowane 500 mA, wyposażone w rezystor NPN 50 V
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
NSBA114TF3T5G |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowany tranzystor SOT-1123 PBRT
|
pół
|
|
|
|
|
|
MMUN2114LT1G |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowane 100 mA 50 V BRT PNP
|
pół
|
|
|
|
|
|
BCR 142W H6327 |
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
RN2111MFV,L3F |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowany rezystor polaryzacji Wbudowany tranzystor
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
UMH6NTR |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane PODWÓJNE NPN 50V 30MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DTC123JM3T5G |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowane 100 mA 50 V BRT NPN
|
pół
|
|
|
|
|
|
RN1901 ((T5L,F,T) |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane Gen Trans BRT NPN US6, 50 V, 100 A 100 mA
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
PDTB114EQAZ |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowane PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTA023YUBTL |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowany transtr cyfrowy PNP z wbudowanymi rezystorami
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMUN5214DW1T1G |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane SS BR XSTR NPN 50V
|
pół
|
|
|
|
|
|
DTC114YKAT146 |
Tranzystory bipolarne - wstępnie spolaryzowane DIGITL NPN 50V 70MA
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DTA014YEBTL |
Tranzystory bipolarne — wstępnie spolaryzowany transtr cyfrowy PNP z wbudowanymi rezystorami
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
RN1311(TE85L,F) |
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STW43NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 35A do 247
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Wymagania w zakresie bezpieczeństwa |
Dioda barierowa Schottky'ego
|
Fuji Electric
|
|
|
|
|
|
IPP60R280E6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
|
IR/Infineon
|
|
|
|
|
|
STF10NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 8A do 220FP
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4,3A DPAK-2 CoolMOS CE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100 V -13 A 205 mOhm 38,7 nC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
AUIRF2804WL |
MOSFET 40 V 295 A 1,8 mOhm Motoryzacyjny MOSFET
|
IR/Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7815PBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60 V 50 A 136 W 9,3 mohm przy 10 V
|
Półprzewodniki firmy Vishay
|
|
|
|
|
|
BS170_D26Z |
MOSFET Efekt pola w trybie wzmocnienia N-Ch
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IRFR6215TR |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IPP90R800C3 |
MOSFET N-Ch 900V 6,9A TO220-3 CoolMOS C3
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FDP5N60NZ |
MOSFET 600V N-kanałowy MOSFET, UniFET-II
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
Wpływy z tytułu ryzyka |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
PMV32UP,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
IPP80N03S4L03AKSA1 |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STF10NM60N |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Niskie Rdson
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
|
pół
|
|
|