IRF7757TRPBF
producent:
Infineon Technologies
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Pakiet urządzeń dostawcy::
8-TSOP
Kategoria produktu ::
MOSFET
Zapas fabryczny::
0
Minimalna ilość ::
4000
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds::
1340pF @ 15V
Opakowanie / etui::
8-TSSOP (0,173", 4,40 mm szerokości)
Stan części::
Nieprzydatne
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C::
4,8A
Opakowanie::
Taśma i szpula (TR)
@ ilość::
0
Temperatura robocza ::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET'a::
2 kanały N (podwójne)
Funkcja FET::
Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)::
20V
Typ mocowania ::
Powierzchnia
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs::
23 nC przy 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
35 mOhm @ 4,8A, 4,5 V
Moc - maks.::
1,2 W
Vgs(th) (Max) @ Id::
1,2 V przy 250 µA
Seria ::
HEXFET®
Producent ::
Infineon Technologies
Wprowadzenie
IRF7757TRPBF,z Infineon Technologies,to MOSFET.Oferujemy konkurencyjną cenę na światowym rynku,w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: