Do domu > produkty > Układy scalone pamięci
Filtry
Filtry

Układy scalone pamięci

Obrazczęść #OpisproducentAkcjeRFQ
M29F200BB70N6

M29F200BB70N6

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
Technologia mikronowa
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D TR

Układ scalony DRAM 32G 1866 MHz FBGA
Technologia mikronowa
M24C04-FMB5TG

M24C04-FMB5TG

IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8UFDFPN
STMikroelektronika
MT29F128G08EBEBBWP:B

MT29F128G08EBEBBWP:B

IC FLASH 128G PARALLEL
Technologia mikronowa
MT4A512M8RH-083E

MT4A512M8RH-083E

IC DRAM 4G PARALLEL 1,2 GHz
Technologia mikronowa
MTFC16GJVEC-2F WT

MTFC16GJVEC-2F WT

IC FLASH 128G MMC 169WFBGA
Technologia mikronowa
W25Q64JVTCIQ

W25Q64JVTCIQ

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA
Elektronika Winbonda
N25Q064A11EF640E

N25Q064A11EF640E

Układ scalony FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN
Technologia mikronowa
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
Technologia mikronowa
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G

Wszystkie w jednym MCP 1072G
Technologia mikronowa
MT28F640J3RG-115 MET

MT28F640J3RG-115 MET

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP I
Technologia mikronowa
M58BW16FB4ZA3F TR

M58BW16FB4ZA3F TR

IC FLASH 16M PARALLEL 80LBGA
Technologia mikronowa
MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4po

MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4po

IC DRAM 4G 1600 MHz
Technologia mikronowa
MT48LC4M16A2TG-75 L:G

MT48LC4M16A2TG-75 L:G

IC DRAM 64M RÓWNOLEGLE 54TSOP
Technologia mikronowa
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
Technologia mikronowa
M27C4002-80C6

M27C4002-80C6

IC EPROM 4M RÓWNOLEGŁY 44PLCC
STMikroelektronika
MX25R4035FBDIH1

MX25R4035FBDIH1

IC FLASH 4MBIT
MXIC, Macronix
M29W400DB70ZE6E

M29W400DB70ZE6E

IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
Technologia mikronowa
MT47H64M8SH-25E AAT:H

MT47H64M8SH-25E AAT:H

IC DRAM 512M RÓWNOLEGLE 400 MHz
Technologia mikronowa
EDW4032BABG-60-FD

EDW4032BABG-60-FD

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
Technologia mikronowa
MX29GL512FDT2I-11G

MX29GL512FDT2I-11G

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
MXIC, Macronix
MTFC128GAJAECE-5M AIT

MTFC128GAJAECE-5M AIT

Układ scalony FLASH 1T MMC
Technologia mikronowa
MT4K2K2K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K

MT4K2K2K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K

TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
Technologia mikronowa
Wykorzystanie metalu

Wykorzystanie metalu

PAMIĘĆ FLASH IC 32MB
Elektronika Winbonda
N25Q128A13ESED0F TR

N25Q128A13ESED0F TR

IC FLASH 128M SPI 108MHZ SOIC
Technologia mikronowa
W25Q16DVSSIQ TR

W25Q16DVSSIQ TR

Układ scalony FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
Elektronika Winbonda
M29W400DB45N6E

M29W400DB45N6E

IC FLASH 4M RÓWNOLEGLE 48TSOP
Technologia mikronowa
M50FW080NB5TG TR

M50FW080NB5TG TR

IC FLASH 8M RÓWNOLEGLE 32TSOP
Technologia mikronowa
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

IC DRAM 8G RÓWNOLEGŁY 78FBGA
Technologia mikronowa
PSD813F1VA-20JI

PSD813F1VA-20JI

IC FLASH 1M RÓWNOLEGŁY 52PLCC
STMikroelektronika
AT25DF641A-MH-T

AT25DF641A-MH-T

Układ scalony FLASH 64M SPI 100MHZ 8UDFN
Adesto Technologies
MT5W5W5W5W5W5W5W5W5W5

MT5W5W5W5W5W5W5W5W5W5

Układ scalony DRAM 16G 1866 MHz FBGA
Technologia mikronowa
AT25XV021A-MHV-T

AT25XV021A-MHV-T

Układ scalony FLASH 2M SPI 70MHZ 8UDFN
Adesto Technologies
MT29F4G16ABBDAHC:D

MT29F4G16ABBDAHC:D

IC FLASH 4G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
Technologia mikronowa
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G

MT48LC16M16A2P-6A AIT:G

IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 54TSOP
Technologia mikronowa
M27C801-100N1

M27C801-100N1

IC EPROM 8M RÓWNOLEGŁY 32TSOP
STMikroelektronika
M29F040B70K1

M29F040B70K1

IC FLASH 4M RÓWNOLEGŁY 32PLCC
Technologia mikronowa
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR

IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA
Technologia mikronowa
MT4A512M8RH-083E AIT:B TR

MT4A512M8RH-083E AIT:B TR

IC DRAM 4G PARALLEL 1,2 GHz
Technologia mikronowa
MX29LV040CQC-70G

MX29LV040CQC-70G

IC FLASH 4M RÓWNOLEGŁY 32PLCC
MXIC, Macronix
MT2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2

MT2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2

Układ scalony FLASH MLC 64G 8GX8
Technologia mikronowa
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
Technologia mikronowa
M25PX64-VME6TG TR

M25PX64-VME6TG TR

IC FLASH 64M SPI 75MHZ 8VDFPN
Technologia mikronowa
MT29F256G08CECCBH6-6R:C

MT29F256G08CECCBH6-6R:C

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
Technologia mikronowa
M27C4002-12F1

M27C4002-12F1

IC EPROM 4M PARALLEL 40CDIP
STMikroelektronika
AT93C46E-PU

AT93C46E-PU

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP
Technologia mikroczipów
JS28F00AP30BFA

JS28F00AP30BFA

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Technologia mikronowa
W25Q80JVUXIQ TR

W25Q80JVUXIQ TR

IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON
Elektronika Winbonda
MTFC16GAKAEDQ-AAT

MTFC16GAKAEDQ-AAT

Układ scalony FLASH 128G MMC
Technologia mikronowa
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP
Technologia mikronowa
1 2