Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
1 NPN, 1 PNP — wstępne ustawienie (podwójne)
Częstotliwość - Przejście:
230MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
100mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50V
Zestaw urządzeń dostawcy:
6-TSSOP
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100nA (ICBO)
Moc — maks:
300 MW
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
PUMD10
Wprowadzenie
BJT 1 NPN, 1 PNP - BJT 50V 100mA 230MHz 300mW 6-TSSOP
Produkty pokrewne

PUMD48115

NHUMD9X

PBLS4003D,115

PQMH13Z

PUMD12/DG/B4X

PUMD17115

PUMD15,115

NHUMH1X

PEMB10,115

PUMH1/DG/B3,115

NHUMB9F

PEMH14,115

PEMD4115

NHUMB11F

PUMH2/DG/B3,115

PUMH13,115

PUMH9,125
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: