Do domu > produkty > Półprzewodniki > PUMH13,115

PUMH13,115

producent:
Nexperia USA Inc.
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
2 NPN – wstępnie obciążony (podwójny)
Częstotliwość - Przejście:
-
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
100mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50V
Zestaw urządzeń dostawcy:
6-TSSOP
Rezystor - Baza (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1µA
Moc — maks:
300 MW
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
PUMH13
Wprowadzenie
Bipolarny tranzystor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: