PEMB10,115
producent:
Nexperia USA Inc.
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Nie dla nowych wzorów
Typ tranzystora:
2 PNP wstępnie obciążone (podwójne)
Częstotliwość - Przejście:
-
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
Motoryzacja, AEC-Q101
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
100mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-666
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1µA
Moc — maks:
300 MW
Opakowanie / Pudełko:
SOT-563, SOT-666
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
PEMB10
Wprowadzenie
Wstępnie spolaryzowany tranzystor bipolarny (BJT) 2 PNP Wstępnie spolaryzowany (podwójny) 50 V 100 mA 300 mW do montażu powierzchniowego SOT-666
Produkty pokrewne
PUMD48115
NHUMD9X
PBLS4003D,115
PQMH13Z
PUMD10,115
PUMD12/DG/B4X
PUMD17115
PUMD15,115
NHUMH1X
PUMH1/DG/B3,115
NHUMB9F
PEMH14,115
PEMD4115
NHUMB11F
PUMH2/DG/B3,115
PUMH13,115
PUMH9,125
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: