Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4po |
IC DRAM 4G 1600 MHz
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2TG-75 L:G |
IC DRAM 64M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR |
IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
M27C4002-80C6 |
IC EPROM 4M RÓWNOLEGŁY 44PLCC
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
MX25R4035FBDIH1 |
IC FLASH 4MBIT
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
M29W400DB70ZE6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT47H64M8SH-25E AAT:H |
IC DRAM 512M RÓWNOLEGLE 400 MHz
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
EDW4032BABG-60-FD |
IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MX29GL512FDT2I-11G |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAJAECE-5M AIT |
Układ scalony FLASH 1T MMC
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT4K2K2K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K |
TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
PAMIĘĆ FLASH IC 32MB
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13ESED0F TR |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ SOIC
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIQ TR |
Układ scalony FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
M29W400DB45N6E |
IC FLASH 4M RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
M50FW080NB5TG TR |
IC FLASH 8M RÓWNOLEGLE 32TSOP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT40A2G4PM-083E:A |
IC DRAM 8G RÓWNOLEGŁY 78FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
PSD813F1VA-20JI |
IC FLASH 1M RÓWNOLEGŁY 52PLCC
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
AT25DF641A-MH-T |
Układ scalony FLASH 64M SPI 100MHZ 8UDFN
|
Adesto Technologies
|
|
|
|
|
|
MT5W5W5W5W5W5W5W5W5W5 |
Układ scalony DRAM 16G 1866 MHz FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
AT25XV021A-MHV-T |
Układ scalony FLASH 2M SPI 70MHZ 8UDFN
|
Adesto Technologies
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABBDAHC:D |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G |
IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
M27C801-100N1 |
IC EPROM 8M RÓWNOLEGŁY 32TSOP
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
M29F040B70K1 |
IC FLASH 4M RÓWNOLEGŁY 32PLCC
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR |
IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT4A512M8RH-083E AIT:B TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 1,2 GHz
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MX29LV040CQC-70G |
IC FLASH 4M RÓWNOLEGŁY 32PLCC
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
MT2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2 |
Układ scalony FLASH MLC 64G 8GX8
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR |
IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
M25PX64-VME6TG TR |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 8VDFPN
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
M27C4002-12F1 |
IC EPROM 4M PARALLEL 40CDIP
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
AT93C46E-PU |
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
JS28F00AP30BFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVUXIQ TR |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEDQ-AAT |
Układ scalony FLASH 128G MMC
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR |
LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVSJP |
PAMIĘĆ FLASH IC 128MB
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT46H32M32LFB5-5 IT:B |
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT4A3A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A5 |
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWSNIQ |
Układ scalony FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
24AA16-I/MS |
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8MSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
W958D6DBCX7I TR |
Układ scalony PSRAM 256M RÓWNOLEGŁY 54VFBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
AT25DN011-MAHFHT-T |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
|
Adesto Technologies
|
|
|
|
|
|
MT4S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2 |
IC DRAM 2G RÓWNOLEGŁY 84FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8DA-093 IT:P TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVZEIG TR |
Układ scalony FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT41K512M4HX-15E:D |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
Technologia mikronowa
|
|
|