english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국 العربية हिन्दी Türkçe bahasa indonesia tiếng Việt ไทย বাংলা فارسی polski
Do domu
produkty
producenci
O nas
Wyślij zapytanie ofertowe
Do domu > producenci >

Półprzewodnik Samsunga

Półprzewodnik Samsunga
K4B4G0846B-HYH9/HYK0 SAMSUNG Pamięć

K4B4G0846B-HYH9/HYK0 SAMSUNG Pamięć

Specyfikacja DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
Stock: 10000
KLM8G1GEAC-C021

KLM8G1GEAC-C021

Stock: 10000
Obraz część # Opis producent Akcje RFQ
K4B4G0846B-HYH9/HYK0 SAMSUNG Pamięć

K4B4G0846B-HYH9/HYK0 SAMSUNG Pamięć
Specyfikacja DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
10000
KLM8G1GEAC-C021

KLM8G1GEAC-C021
10000
1
Skontaktuj się z nami
Adres: 1203, Budynek 4, Południowy Taiyun Chuanggu, społeczność Tangwei, ulica Fenghuang, dzielnica Guangming, Shenzhen
Wiadomość elektroniczna: xiaoh@samecore.net
Telefon: 13725553186
produkty

Układy scalone ICS

Złącza

Półprzewodniki

Dyskretne produkty półprzewodnikowe

Czujniki, przetworniki

RF i bezprzewodowe
O nas
O nas Certyfikat ISO Kontrola jakości Polityka prywatności Centrum pomocy
Polityka prywatności | Chiny Dobra jakość Układy scalone ICS Dostawca.Prawa autorskie © 2024-2025 Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd . Wszystkie prawaSkryty.