VS-50MT060WHTAPBF
producent:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Opis:
MODUŁ IGBT 600V 114A 658W MTP
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
114 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł 12-MTP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,2 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
600 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
MTP
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
400µA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
658 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
7,1 nF przy 30 V
konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
50MT060
Wprowadzenie
Moduł IGBT pół mostek 600 V 114 A 658 W
Produkty pokrewne
VS-CPV362M4UPBF Vishay General Semiconductor IGBT SIP Module
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductors General
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
VS-CPV362M4FPBF
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
CPV362M4U
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
VS-GT105LA120UX
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
VS-CPV362M4UPBF Vishay General Semiconductor IGBT SIP Module |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
|
|
|
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductors General |
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
|
|
|
|
VS-CPV362M4FPBF |
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
|
|
|
|
CPV362M4U |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
|
|
|
VS-GT105LA120UX |
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: