RN1906, LF(CT
producent:
Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
2 NPN – wstępnie obciążony (podwójny)
Częstotliwość - Przejście:
250MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50V
Zestaw urządzeń dostawcy:
US6
Rezystor - Baza (R1):
4,7 kOhm
Mfr:
Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
200 mW
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
RN1906
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Nawierzchnia US6
Produkty pokrewne
RN2901FE,LXHF(CT
RN2965(TE85L,F)
RN4905T5LFT
RN2704, LF
RN1908FE ((TE85L,F)
RN1907FE, LF(CT
RN2901, LF(CT
RN1907, LF(CT
RN4981FE, LF(CT
RN1602 ((TE85L,F)
RN2910, LF(CT
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
RN2901FE,LXHF(CT |
|
|
|
|
RN2965(TE85L,F) |
|
|
|
|
RN4905T5LFT |
|
|
|
|
RN2704, LF |
|
|
|
|
RN1908FE ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN1907FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN2901, LF(CT |
|
|
|
|
RN1907, LF(CT |
|
|
|
|
RN4981FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN1602 ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN2910, LF(CT |
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: