Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
producent:
Diody wbudowane
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
1 NPN, 1 PNP — wstępne ustawienie (podwójne)
Częstotliwość - Przejście:
250MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
DCX (XXXX) U
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300mV przy 500µA, 10mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-363
Rezystor - Baza (R1):
100 kOhm
Mfr:
Diody wbudowane
Rezystor – podstawa emitera (R2):
100 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA (ICBO)
Moc — maks:
200 mW
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
82 @ 5 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
DCX115
Wprowadzenie
BJT 1 NPN, 1 PNP - BJT 50V 100mA 250MHz 200mW
Produkty pokrewne
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: