NSM46211DW6T1G
producent:
pół
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wst
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
1 NPN wstępnie obciążony, 1 NPN
Częstotliwość - Przejście:
-
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
250 mV przy 300 µA, 10 mA / 600 mV przy 5 mA, 100 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V, 65 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Rezystor - Baza (R1):
10 kOhm
Mfr:
pół
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
230mW
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V
Numer produktu podstawowego:
NSM462
Wprowadzenie
Wstępnie spolaryzowany tranzystor bipolarny (BJT) 1 NPN wstępnie spolaryzowany, 1 NPN 50 V, 65 V 100 mA 230 mW do montażu powierzchniowego SC-88/SC70-6/SOT-363
Produkty pokrewne
SMUN5114DW1T1G
SMUN5233DW1T1G
NSBC114EDP6T5G
MUN5234DW1T1
NSBA143TDXV6T1
IMH20TR1G
NSBA143TDXV6T5G
NSVMUN5336DW1T1G
NSM21356DW6T1G
SMUN5312DW1T1G
MUN5316DW1T1G
Wymagania w sprawie:
SMUN5214DW1T1G
EMG2DXV5T5G
NSBC123TDP6T5G
EMF5XV6T5
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: