Formularz 405 H6740
producent:
Infineon Technologies
Opis:
Transistor radioaktywny, pasmo L, NPN
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Bipolarne tranzystory RF
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
25mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
NPN
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Częstotliwość - Przejście:
25 GHz
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
5V
Zestaw urządzeń dostawcy:
PG-SOT343-4
Mfr:
Infineon Technologies
Współczynnik szumu (dB typ @ f):
10,25 dB @ 1,8 GHz
Moc — maks:
75 mW
Zyski:
23dB
Opakowanie / Pudełko:
SC-82A, SOT-343
Temperatura pracy:
150°C (TJ)
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5 mA, 4 V
Wprowadzenie
Transistor RF NPN 5V 25mA 25GHz 75mW Nawierzchnia PG-SOT343-4
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: