Do domu > produkty > Półprzewodniki > IXGH40N120C3D1

IXGH40N120C3D1

producent:
IXYS
Opis:
Transistory IGBT 75 Amper 1200V
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramki-emitera::
100 nA
Kategoria produktu ::
Tranzystory IGBT
Styl montażu::
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora w temperaturze 25 C::
75 A
Pd — rozpraszanie mocy::
380 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max::
1,2 kV
Opakowanie / etui::
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza::
+ 150 C
Opakowanie::
Rurka
Maksymalne napięcie emitera bramki::
+/- 20 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter::
4,4 V
Producent ::
IXYS
Wprowadzenie
IXGH40N120C3D1, z IXYS, to tranzystory IGBT. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnej i nowej części.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem “online chat” lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: