NGTG30N60FLWG
producent:
pół
Opis:
Tranzystory IGBT 600V/30A IGBT LPT TO-247
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramki-emitera::
100 nA
Kategoria produktu ::
Tranzystory IGBT
Styl montażu::
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora w temperaturze 25 C::
60 A
Pd — rozpraszanie mocy::
250 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max::
600 V
Opakowanie / etui::
TO-247
Maksymalna temperatura robocza::
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki::
30 V
Opakowanie::
Rurka
Konfiguracja ::
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter::
1,65 V
Producent ::
pół
Wprowadzenie
NGTG30N60FLWG, od onsemi, są tranzystory IGBT. co oferujemy mają konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych części.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: