STGF3NC120HD
producent:
STMikroelektronika
Opis:
Tranzystory IGBT N-Ch 1200 Volt 3 Amp
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramki-emitera::
+/- 100 nA
Kategoria produktu ::
Tranzystory IGBT
Styl montażu::
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora w temperaturze 25 C::
6 A
Pd — rozpraszanie mocy::
25 w
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max::
1200 V
Opakowanie / etui::
TO-220-3 FP
Maksymalna temperatura robocza::
+ 150 C
Maksymalne napięcie emitera bramki::
+/- 20 V
Opakowanie::
Rurka
Konfiguracja ::
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter::
2,8 V
Producent ::
STMikroelektronika
Wprowadzenie
STGF3NC120HD, od STMicroelectronics, to transistory IGBT. Oferujemy konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Produkty pokrewne
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: