Do domu > produkty > Półprzewodniki > IRGR3B60KD2PBF

IRGR3B60KD2PBF

producent:
IR/Infineon
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu ::
Tranzystory IGBT
Styl montażu::
SMD/SMT
Ciągły prąd kolektora w temperaturze 25 C::
7,8 A
Pd — rozpraszanie mocy::
52 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max::
600 V
Opakowanie / etui::
DPAK-3
Maksymalne napięcie emitera bramki::
+/- 20 V
Opakowanie::
Rurka
Konfiguracja ::
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter::
2,4 V
Producent ::
IR/Infineon
Wprowadzenie
IRGR3B60KD2PBF, od IR / Infineon, to IGBT Transistory.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem “online chat” lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: