IKW50N65F5AXKSA1
producent:
Infineon Technologies
Opis:
Tranzystory IGBT PRODUKTY IGBT
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Prąd upływu bramki-emitera::
100 nA
Kategoria produktu ::
Tranzystory IGBT
Styl montażu::
Przez dziurę
Ciągły prąd kolektora w temperaturze 25 C::
80 A
Pd — rozpraszanie mocy::
305 W
Napięcie kolektor-emiter VCEO Max::
650 V
Opakowanie / etui::
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza::
+ 175 C
Maksymalne napięcie emitera bramki::
20 V
Opakowanie::
Rurka
Konfiguracja ::
Samotny
Napięcie nasycenia kolektor-emiter::
1,9 V
Producent ::
Infineon Technologies
Wprowadzenie
IKW50N65F5AXKSA1, od Infineon Technologies, to tranzystory IGBT.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: