SIS892ADN-T1-GE3
producent:
Półprzewodniki firmy Vishay
Opis:
MOSFET 100 V 33 mOhm przy 10 V 28 A N-Ch MV T-FET
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Technologia ::
Si
Kategoria produktu ::
MOSFET
Nazwa handlowa ::
TrenchFET
Opakowanie / etui::
/ PowerPAK-1212-8
Opakowanie::
Rolka
Producent ::
Półprzewodniki firmy Vishay
Wprowadzenie
SIS892ADN-T1-GE3, od Vishay Semiconductors, jest MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Produkty pokrewne
SUD50N06-09L-E3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIHF23N60E-GE3
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
SIS 472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
SIHF23N60E-GE3 |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SIS 472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: