IPA65R420CFDXKSA1
producent:
Infineon Technologies
Opis:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu ::
MOSFET
Vgs (maks.)::
±20 V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C::
8.7A (Tc)
@ ilość::
0
Typ FET'a::
Kanał N
Typ mocowania ::
Przez dziurę
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs::
32nC @ 10V
Producent ::
Infineon Technologies
Minimalna ilość ::
500
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)::
10V
Zapas fabryczny::
0
Temperatura robocza ::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Funkcja FET::
-
Seria ::
CoolMOS™
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds::
870pF @ 100V
Pakiet urządzeń dostawcy::
Pełny pakiet PG-TO220
Stan części::
Aktywny
Opakowanie::
Rurka
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Rozpraszanie mocy (maks.)::
31.2W (Tc)
Opakowanie / etui::
TO-220-3 Pełny pakiet
Technologia ::
MOSFET (tlenek metalu)
Vgs(th) (Max) @ Id::
4.5V @ 340μA
Napięcie dren-źródło (Vdss)::
650 V
Wprowadzenie
IPA65R420CFDXKSA1, od Infineon Technologies, jest MOSFET.Oferujemy konkurencyjną cenę na rynku globalnym, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: