BSD235NH6327XTSA1
producent:
Infineon Technologies
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Pakiet urządzeń dostawcy::
PG-SOT363-6
Kategoria produktu ::
MOSFET
Zapas fabryczny::
0
Minimalna ilość ::
3000
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds::
63pF @ 10V
Opakowanie / etui::
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Stan części::
Aktywny
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C::
950mA
Opakowanie::
Taśma i szpula (TR)
@ ilość::
0
Temperatura robocza ::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET'a::
2 kanały N (podwójne)
Funkcja FET::
Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)::
20V
Typ mocowania ::
Powierzchnia
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs::
0.32nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
350 mOhm @ 950 mA, 4,5 V
Moc - maks.::
500 mw
Vgs(th) (Max) @ Id::
1.2V @ 1,6 μA
Seria ::
OptiMOS™
Producent ::
Infineon Technologies
Wprowadzenie
BSD235NH6327XTSA1, z Infineon Technologies, to MOSFET.To, co oferujemy, ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chat lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: